Los mecanismos de transporte de estructuras tipo Schottky y estructuras con una capa intermedia de silicio poroso entre un metal y el substrato semiconductor (tipo p) son estudiados a partir de las medidas I-V-T (medidas en el rango de temperaturas de 200K a 300K) y C-V-T (desde 298K a 363K). El análisis de las gráficas muestra una marcada diferencia en el comportamiento entre la estructura tipo Schottky en la cual el mecanismo de conducción es termoiónico y la estructura fabricada con la capa interfacial de silicio poroso que exhibe un comportamiento correspondiente a los mecanismos de emisión termoiónica y conducción limitada por carga espacial.
The transport mechanisms of Schottky structures and structures with a layer of porous silicon sandwiched between the metal and substrate semiconductor (p type) are studied to leave from the I-V-T meaurements (measured in the temperatura range of 200 K – 300 K) and C-V-T (from 298 K to 363 K). The graphs analysis shows marked difference in the behaviour among the structure Schottky in the which the conduction mechanism is termionic and the structure fabricated with the interfacial layer of porous silicon that exhibits a behaviour corresponding to the termionic emission mechanism and space-charge-limited conduction (SCLC).
