Resumen:
En este trabajo de grado se diseñó y construyó un equipo que registró las variaciones de la resistencia eléctrica de un material semiconductor en presencia de una atmósfera de un cierto gas, a una presión y temperatura determinadas; este equipo permite, por lo tanto, determinar la capacidad sensora de gases de un sólido. Se empleó el oxígeno como gas de estudio, atmósfera oxidante, y se determinó la capacidad de respuesta del óxido de estaño (SnO2) frente a la presencia de este gas.
Para poner a punto el equipo fue necesario construir varias partes del mismo, teniendo en cuenta las características requeridas para determinar la funcionalidad del sensor de SnO2. Aunque no se pudo montar el equipo convencional, sistema en vidrio, se construyó satisfactoriamente un equipo alternativo con características similares al convencional y que cumplía con los requerimientos exigidos para determinar la capacidad sensora del sólido en estudio.
Para verificar la funcionalidad del equipo construido, se fabricó un sensor semiconductor con base en óxido de estaño y se realizaron los ensayos correspondientes utilizando el equipo. Los resultados indicaron que el SnO2 es un buen sensor de oxígeno tal que su sensibilidad, Rf/R0, fue de aproximadamente 42, valor que dependió de la temperatura: mayor sensibilidad para una temperatura de 290°C que para una de 260°C.
