Un paso importante para el desarrollo y obtención de nuevos dispositivos basados en
materiales multiferroicos, es crecer estos materiales en películas delgadas sobre
materiales distintos a los substratos estudiados tradicionalmente, generando
heteroestructuras que permitan nuevos acoples y/o funcionalidades mixtas. En este
trabajo se realizó un estudio de la compatibilidad de películas delgadas basadas en el
multiferroico BiFeO3 (ferrita de bismuto, BFO) y películas delgadas de VO2 (dióxido
de vanadio), se obtuvieron los parámetros de crecimiento individuales y un método para
la obtención de bicapas, cuyos parámetros de crecimiento permitieran conservar los
efectos de transición de fase de la capa del VO2, con los cuales a futuro sería posible
modificar las propiedades ferroeléctricas y magnéticas del BFO. Se estudio la influencia
que tiene el acople de estos materiales en bicapa con las propiedades originales de las
capas individuales. Se utilizó para este propósito la técnica de Sputtering RF y DC, en
una atmósfera controlada de oxígeno y argón. Una vez encontrados los parámetros de
deposición apropiados y obtenidas las bicapas planteadas con un espesor constante de
VO2 y espesores distintos de la capa superior de BFO, Se midieron las propiedades
estructurales, morfológicas, superficiales y eléctricas de cada película obtenida.
La caracterización estructural se llevó a cabo con difracción de rayos X (DRX) a
temperatura ambiente, con la cual se encontraron las fases características y parámetros
de red del VO2 aislante, del BFO multiferroico y de las bicapas. Se realizaron medidas
de caracterización superficial usando microscopía de fuerza atómica (AFM) y
microscopía electrónica de barrido (SEM), con el fin de estudiar la rugosidad de las
capas y su espesor. Por otra parte, se analizaron las monocapas y las bicapas mediante
espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS) y espectroscopía de rayos X de energía
dispersiva (EDS), para la identificación de los elementos presentes, su entorno molecular
y estado de oxidación. Usando reflectividad de rayos X (XRR) y perfilometría fue
posible determinar las tasas de depósito de los óxidos. Además, se estudiaron las
propiedades eléctricas mediante curvas I(V) y R(T).
Los resultados obtenidos a partir de la caracterización estructural, morfológica y
eléctrica de las películas obtenidas, permitieron evaluar los mecanismos de acoplamiento del BFO depositado sobre VO2 y de esta manera, aportar contribuciones significativas
en el entendimiento de los fenómenos competitivos de interacción y de interfase que se
establecen en este tipo de sistemas.
An important step for the development and obtaining of new devices based on
multiferroic materials is to grow these materials in thin films on materials other than
the traditionally studied substrates, generating heterostructures that allow new
couplings and/or mixed functionalities. In this work, a study of the compatibility of
thin films based on the multiferroic BiFeO3 (bismuth ferrite, BFO) and VO2 (vanadium
dioxide) thin films was carried out, the individual growth parameters and a method for
obtaining bilayers, whose growth parameters allowed to preserve the phase transition
effects of the VO2 layer, with which in the future it would be possible to modify the
ferroelectric and magnetic properties of the BFO. The influence of the coupling of these
bilayer materials with the original properties of the individual layers was studied. For
this purpose, the RF and DC Sputtering technique was used, in a controlled atmosphere
of oxygen and argon. Once the appropriate deposition parameters were found and the
bilayers raised with a constant VO2 thickness and different thicknesses of the upper
BFO layer were obtained, the structural, morphological, surface and electrical
properties of each film obtained were measured.
The structural characterization was carried out with X-ray diffraction (XRD) at room
temperature, with which the characteristic phases and lattice parameters of the
insulating VO2, the multiferroic BFO and the bilayers were found. Surface
characterization measurements were performed using atomic force microscopy (AFM)
and scanning electron microscopy (SEM), in order to study the roughness of the layers
and their thickness. On the other hand, the monolayers and bilayers were analyzed by
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and energy dispersive X-ray spectroscopy
(EDS), for the identification of the elements present, their molecular environment and
oxidation state. Using X-ray reflectivity (XRR) and profilometry it was possible to
determine the deposition rates of the oxides. In addition, the electrical properties were
studied using I(V), V(I) and R(T) curves. The results obtained from the structural, morphological and electrical characterization
of the films obtained, allowed to evaluate the coupling mechanisms of the BFO
deposited on VO2 and, in this way, provide significant contributions in the
understanding of the competitive interaction and interface phenomena that are
established in this type of system.