Resumen:
En este trabajo se ha investigado las propiedades eléctricas y magnéticas de películas delgadas epitaxiales con 100ηm de espesor del sistema VO2 (dióxido de vanadio). Las películas fueron crecidas sobre substratos de vidrio y Titanato de Estroncio (SrTiO3) a partir de un target de Vanadio metálico en una atmósfera de Argon y Oxigeno, utilizando un sistema Magnetrón Sputtering RF a 13.56 MHz.
Las propiedades eléctricas como resistencia en función de la temperatura mostraron una transición abrupta de primer orden semiconductor-metal a una temperatura alrededor de 67°C.
Las propiedades magnéticas como cambio en la resistencia en función del campo magnético (Magnetoresistencia) y voltaje Hall en función de la temperatura, mostraron una dependencia de la magnetoresistencia con la raíz cuadrada del campo magnético aplicado, y con las medidas de efecto Hall se obtuvo una densidad de portadores del orden de 1017 en la temperatura de transición semiconductor-metal.
